SI2307BDS-T1-GE3 与 BSS308PE H6327 区别
| 型号 | SI2307BDS-T1-GE3 | BSS308PE H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-SI2307BDS-T1-GE3 | A-BSS308PE H6327 |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Ta) | 2A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 78 mOhms @ 3.2A,10V | 80mΩ@2A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | 750mW(Ta) | 500mW |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| Vgs(th) | 3V @ 250uA | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI2307BDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A(Ta) P-Channel 78 mOhms @ 3.2A,10V 750mW(Ta) SOT-23-3 -55°C~150°C 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 77mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSS308PE H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 P-Channel 80mΩ@2A,10V 500mW -55°C~150°C ±20V 30V 2A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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